Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные, Pre-Biased)
 
PDTC115ET,215

PDTC115ET,215 — TRANS NPN 50V 20MA SOT23

ПроизводительNXP Semiconductors
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)50V
Сопротивление базы (Ом)100K
Сопротивление эмитер - база (Ом)100K
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 5V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic150mV @ 250µA, 5mA
Ток коллектора (макс)20mA
Ток отсечки коллетора (vfrc)1µA
Мощность макcимальная250mW
Тип транзистораNPN - Pre-Biased
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусSOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Встречается под наим.PDTC115ET T/R, PDTC115ET T/R-ND
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
PDTC115EEF,115PDTC115EEF,115NXP SemiconductorsTRANS NPN W/RES 50V SOT-490
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 100K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 100K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 20mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-89
Доп. информация
Искать в поставщиках
PDTA115ET,215PDTA115ET,215NXP SemiconductorsTRANS PNP W/RES 50V SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 100K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 100K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 20mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
PDTC115EE,115PDTC115EE,115NXP SemiconductorsTRANS NPN W/RES 50V SOT-490
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 100K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 100K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 20mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: EMT3 (SOT-416, SC-75-3)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
PDTC115EM,315PDTC115EM,315NXP SemiconductorsTRANS NPN W/RES 50V SOT-883
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 100K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 100K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 20mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-101, SOT-883
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
PDTC115EK,115PDTC115EK,115NXP SemiconductorsTRANS NPN 50V 20MA SOT346
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 100K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 100K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 20mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «PDTC115ET,215» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте