| |
 |
PDTA114EE,115 — TRANS PNP 50V 100MA SOT416
| Производитель | NXP Semiconductors |
| Вредные вещества |  RoHS  Без свинца |
 | | Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.) | 50V |
| Сопротивление базы (Ом) | 10K |
| Сопротивление эмитер - база (Ом) | 10K |
| Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Ток коллектора (макс) | 100mA |
| Ток отсечки коллетора (vfrc) | 1µA |
| Мощность макcимальная | 150mW |
| Тип транзистора | PNP - Pre-Biased |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Корпус | EMT3 (SOT-416, SC-75-3) |
| Встречается под наим. | PDTA114EE T/R, PDTA114EE T/R-ND |
|
|
