Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
PDTA113EM,315 | NXP Semiconductors | TRANS PNP W/RES 50V SOT-883 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 1K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 1K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-101, SOT-883 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
PDTA113EK,115 | NXP Semiconductors | TRANS PNP W/RES 50V SC-59A Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 1K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 1K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | Доп. информация Искать в поставщиках |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |