MMUN2233LT1G | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные, Pre-Biased) (Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	MMUN2233LT1	ON Semiconductor	TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3		Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	MMUN2238LT1G	ON Semiconductor	TRANS BRT NPN 50V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MMUN2213LT1	ON Semiconductor	TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3		Доп. информация Искать в поставщиках
	MMUN2234LT1G	ON Semiconductor	TRANS BRT NPN 50V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MMUN2213LT1G	ON Semiconductor	TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MMUN2133LT1G	ON Semiconductor	TRANS BRT PNP 50V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные, Pre-Biased)

MMUN2233LT1G — TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам