Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные, Pre-Biased)
 
DDTC123JLP-7

- Дополнительное фото
- Габаритный чертеж
- Габаритный чертеж

DDTC123JLP-7 — TRANS PNP PRE BIAS 3-DFN

ПроизводительDiodes Inc
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)50V
Сопротивление базы (Ом)2.2K
Сопротивление эмитер - база (Ом)47K
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce125 @ 5mA, 5V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic150mV @ 1mA, 10mA
Ток коллектора (макс)100mA
Модуляция частот250MHz
Мощность макcимальная250mW
Тип транзистораPNP - Pre-Biased
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Корпус3-DFN
Встречается под наим.DDTC123JLPDIDKR
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
DDTC114YLP-7DDTC114YLP-7Diodes IncTRANS PNP PRE BIAS 3-DFN
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 3-DFN
от 0,00
от 0,00		Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «DDTC123JLP-7» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте