DDTA122TE-7 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные, Pre-Biased) (Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 220 · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 220 · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 470 · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 470 · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	DDTA122LE-7	Diodes Inc	TRANS PREBIASED PNP SOT-523 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 220 · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	DDTA122TE-7-F	Diodes Inc	TRANS PREBIASED PNP 150MW SOT523 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 220 · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	DDTA122LE-7-F	Diodes Inc	TRANS PREBIASED PNP SOT523 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 220 · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	DDTA142TE-7-F	Diodes Inc	TRANS PREBIASED PNP 150MW SOT523 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 470 · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	DDTA142TE-7	Diodes Inc	TRANS PREBIASED PNP 150MW SOT523 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 470 · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	DDTA142JE-7-F	Diodes Inc	TRANS PREBIASED PNP SOT523 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 470 · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	DDTA142JE-7	Diodes Inc	TRANS PREBIASED PNP SOT-523 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 470 · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные, Pre-Biased)

DDTA122TE-7 — TRANS PREBIASED PNP 150MW SOT523

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам