 - Габаритный чертеж - Габаритный чертеж - Габаритный чертеж |
DDTA114TUA-7 — TRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3
| ||||||||||||||||||||||||||
| Войти Регистрация |
|
|||||||||||||||||||||||||||||
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
 | DDTA114TUA-7-F | Diodes Inc | TRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
| DDTA115TUA-7 | Diodes Inc | TRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 100K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| DDTA115TUA-7-F | Diodes Inc | TRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 100K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| DDTC114TUA-7 | Diodes Inc | TRANS PREBIAS NPN 200MW SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| DDTC114TUA-7-F | Diodes Inc | TRANS PREBIAS NPN 200MW SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
 | DDTA114TCA-7 | Diodes Inc | TRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| DDTA114TCA-7-F | Diodes Inc | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| DDTA114TKA-7-F | Diodes Inc | TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |
