| |
BCR 562 E6327 — TRANSISTOR PNP DGTL AF SOT-23
| Производитель | Infineon Technologies |
| Вредные вещества |  RoHS  Без свинца |
 | | Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.) | 50V |
| Сопротивление базы (Ом) | 4.7K |
| Сопротивление эмитер - база (Ом) | 4.7K |
| Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 50mA, 5V |
| Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Ток коллектора (макс) | 500mA |
| Модуляция частот | 150MHz |
| Мощность макcимальная | 330mW |
| Тип транзистора | PNP - Pre-Biased |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Корпус | SOT-23 |
| Встречается под наим. | BCR562E6327XT, SP000010859 |
|
|