Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные, Pre-Biased)

 

BCR 116F E6327 — TRANSISTOR NPN DGTL AF TSFP-3

ПроизводительInfineon Technologies
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)50V
Сопротивление базы (Ом)4.7K
Сопротивление эмитер - база (Ом)47K
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 5mA, 5V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Ток коллектора (макс)100mA
Модуляция частот150MHz
Мощность макcимальная250mW
Тип транзистораNPN - Pre-Biased
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусTSFP-3
Встречается под наим.BCR116FE6327XT, SP000013047
ДокументацияНа сайте infineon.com
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BCR 116L3 E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN DGTL AF TSFP-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TSFP-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BCR 116T E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN DGTL AF SC-75
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-75
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BCR 142F E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN DGTL AF TSFP-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TSFP-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BCR 135F E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN DGTL AF TSFP-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TSFP-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BCR 116W E6327BCR 116W E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN DIGITAL SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-323
от 2,68Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине

Поискать «BCR 116F E6327» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2019 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте