| |
BCR 112 E6327 — TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-23
| Производитель | Infineon Technologies |
| Вредные вещества |  RoHS  Без свинца |
 | | Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.) | 50V |
| Сопротивление базы (Ом) | 4.7K |
| Сопротивление эмитер - база (Ом) | 4.7K |
| Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 5V |
| Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Ток коллектора (макс) | 100mA |
| Модуляция частот | 140MHz |
| Мощность макcимальная | 200mW |
| Тип транзистора | NPN - Pre-Biased |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Корпус | SOT-23 |
| Встречается под наим. | BCR112E6327XT, SP000010747 |
|
|