Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
MMUN2213LT1 | ON Semiconductor | TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PDTD113ES,126 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 50V 500MA SOT54 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 1K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 1K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PDTC143XK,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 50V 100MA SOT346 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
UNR32A000L | Panasonic - SSG | TRANS NPN W/RES 160HFE SSSMINI3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 80mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 100mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SSS Mini 3P | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
DTA144WET1G | ON Semiconductor | TRANS PNP BIAS RES 50V SC75-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MUN5235T1 | ON Semiconductor | TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 310mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
DTA123JM3T5G | ON Semiconductor | TRANS PNP 50V 2.2/47K SOT-723 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 260mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-723 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BCR 183L3 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR PNP DGTL AF TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-4 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
UNR1114 | Panasonic - SSG | TRANS PNP W/RES 80 HFE M TYPE Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: M-Type | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FJY4005R | Fairchild Semiconductor | TRANS PNP 50V 100MA SOT-523F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523F | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MUN5115T1G | ON Semiconductor | TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 310mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
UNR1117 | Panasonic - SSG | TRANS PNP W/RES 160 HFE M TYPE Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: M-Type | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
DTC143EET1 | ON Semiconductor | TRANS NPN 50V 4.7/4.7K SC75-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
DTA144TT1 | ON Semiconductor | TRANS PNP BIAS RES 50V SC-59 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 2.7W · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PDTC144VS,126 | NXP Semiconductors | TRANS NPN W/RES 50V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MUN2111T3G | ON Semiconductor | TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 338mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BCR 141T E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DGTL AF SC-75 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 130MHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-75 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PDTC114EK,135 | NXP Semiconductors | TRANS PNP 50V 100MA SOT346 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PDTA124XK,115 | NXP Semiconductors | TRANS PNP 50V 100MA SOT346 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BCR 133L3 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 130MHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-4 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PDTD123ES,126 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 50V 500MA SOT54 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
UNR1124 | Panasonic - SSG | TRANS PNP W/RES 60 HFE M TYPE Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: M-Type | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BCR 149F E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DGTL AF TSFP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 70mA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSFP-3 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FJY3006R | Fairchild Semiconductor | TRANS NPN 50V 100MA SOT-523F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523F | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
DTC143TET1G | ON Semiconductor | TRANS NPN 50V 100MA 4.7K SC75-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |