Войти Регистрация |
|
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
PEMD30,315 | NXP Semiconductors | TRANS ARRAY NPN/PNP SOT-666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini-6 (SOT-666) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
PEMD20,115 | NXP Semiconductors | TRANS PREBIASED DUAL SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini-6 (SOT-666) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
PEMB30,315 | NXP Semiconductors | TRANS ARRAY PNP/PNP SOT-666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini-6 (SOT-666) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
PEMH20,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN W/RES DUAL SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini-6 (SOT-666) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |