|
|
PEMD24,115 — TRANS PREBIASED DUAL SOT666
Производитель | NXP Semiconductors |
Вредные вещества | RoHS Без свинца |
| Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.) | 50V |
Сопротивление базы (Ом) | 100K |
Сопротивление эмитер - база (Ом) | 100K |
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Ток коллектора (макс) | 20mA |
Ток отсечки коллетора (vfrc) | 1µA |
Мощность макcимальная | 200mW |
Тип транзистора | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Mounting Type | Surface Mount |
Корпус | SS Mini-6 (SOT-666) |
Встречается под наим. | PEMD24 T/R, PEMD24 T/R-ND |
|
|