| |
 |
PEMD17,115 — TRANS PREBIASED DUAL SOT666
| Производитель | NXP Semiconductors |
| Вредные вещества |  RoHS  Без свинца |
 | | Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.) | 50V |
| Сопротивление базы (Ом) | 47K |
| Сопротивление эмитер - база (Ом) | 10K |
| Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
| Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Ток коллектора (макс) | 100mA |
| Ток отсечки коллетора (vfrc) | 1µA |
| Мощность макcимальная | 300mW |
| Тип транзистора | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Корпус | SS Mini-6 (SOT-666) |
| Встречается под наим. | PEMD17 T/R, PEMD17 T/R-ND |
|
|
