Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (сборки, Pre-Biased)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 60 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 10mA, 200mA / 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Модуляция частот: 280MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363