| NSTB60BDW1T1G | ON Semiconductor | TRANS BRT PNP/NPN 50V GP SC88 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 5mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 140MHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: 1 NPN Prebiased, 1 PNP · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00
от 0,00 | Доп. информация
Искать в поставщиках |
