Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (сборки, Pre-Biased)

 
MUN5215DW1T1G

- Габаритный чертеж

MUN5215DW1T1G — TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363

ПроизводительON Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)50V
Сопротивление базы (Ом)10K
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce160 @ 5mA, 10V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic250mV @ 1mA, 10mA
Ток коллектора (макс)100mA
Мощность макcимальная385mW
Тип транзистора2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting TypeSurface Mount
КорпусSC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Встречается под наим.MUN5215DW1T1G-ND, MUN5215DW1T1GOSTR
Поискать «MUN5215DW1T1G» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте