EMG2DXV5T5G | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (сборки, Pre-Biased) (Transistors (BJT) - Arrays, Pre-Biased) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 338mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-553, SOT-5

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 338mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-553, SOT-5

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	EMG2DXV5T5	ON Semiconductor	TRANS BRT NPN DUAL BIAS SOT-553 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 338mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-553, SOT-5		Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	EMG2DXV5T1G	ON Semiconductor	TRANS BRT NPN DUAL BIAS SOT-553 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 338mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-553, SOT-5		Доп. информация Искать в поставщиках
	EMG2DXV5T1	ON Semiconductor	TRANS BRT NPN DUAL BIAS SOT-553 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 338mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-553, SOT-5		Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (сборки, Pre-Biased)

EMG2DXV5T5G — TRANS BRT NPN DUAL BIAS SOT-553

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам