Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (сборки, Pre-Biased)
 
EMG1T2R

- Дополнительное фото
- Габаритный чертеж

EMG1T2R — TRANS DUAL NPN 50V 30MA EMT5

ПроизводительRohm Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)50V
Сопротивление базы (Ом)22K
Сопротивление эмитер - база (Ом)22K
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce56 @ 5mA, 5V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Ток коллектора (макс)100mA
Модуляция частот250MHz
Мощность макcимальная300mW
Тип транзистора2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting TypeSurface Mount
КорпусEMT5
Встречается под наим.EMG1T2RCT
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
FMG1AT148FMG1AT148Rohm SemiconductorTRANS DUAL NPN 50V 30MA SMT5
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-74-5, SOT-753
от 0,00
от 0,00		Доп. информация
Искать в поставщиках
IMH5AT108Rohm SemiconductorTRANS DUAL NPN 50V 30MA SOT-457
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-74-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
IMH1AT110IMH1AT110Rohm SemiconductorTRANS DUAL NPN 50V 30MA SOT-457
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-74-6
от 0,00
от 0,00		Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «EMG1T2R» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте