- Дополнительное фото
- Габаритный чертеж |
EMF5T2R — TRANS DUAL PNP/NPN EMT6
| Производитель | Rohm Semiconductor |
| Вредные вещества |  RoHS  Без свинца |
 | | Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.) | 12V, 50V |
| Сопротивление базы (Ом) | 47K |
| Сопротивление эмитер - база (Ом) | 47K |
| Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 10mA, 2V / 68 @ 5mA, 5V |
| Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 200mA / 300mV @ 500µA, 10mA |
| Ток коллектора (макс) | 100mA, 500mA |
| Модуляция частот | 250MHz, 260MHz |
| Мощность макcимальная | 150mW |
| Тип транзистора | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Корпус | EMT6 |
| Встречается под наим. | EMF5T2RCT |
|
