 - Дополнительное фото - Габаритный чертеж |
EMF21T2R — TRANS DUAL PNP/NPN EMT6
| ||||||||||||||||||||||||||||||
| Войти Регистрация |
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
 | UMF21NTR | Rohm Semiconductor | TRANS PNP/DTR BIP 12V .5A SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V / 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA / 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA · Модуляция частот: 250MHz, 260MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
 | EMF22T2R | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL PNP/NPN EMT6 TR Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V / 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA / 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA · Модуляция частот: 250MHz, 320MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: EMT6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |
RoHS 
Без свинца
