- Габаритный чертеж - Габаритный чертеж |
DCX100NS-7 — TRANS NPN/PNP DUAL SOT-563
Производитель | Diodes Inc |
Вредные вещества | RoHS Без свинца |
| Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.) | 50V |
Сопротивление базы (Ом) | 1K, 10K |
Сопротивление эмитер - база (Ом) | 10K |
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30, 33 @ 5mA, 5V |
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Ток коллектора (макс) | 100mA |
Модуляция частот | 250MHz |
Мощность макcимальная | 150mW |
Тип транзистора | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Mounting Type | Surface Mount |
Корпус | SOT-563 |
Встречается под наим. | DCX100NSDIDKR |
|