Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (сборки, Pre-Biased)

Производитель





Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)












Сопротивление базы (Ом)





























Сопротивление эмитер - база (Ом)






















Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce





















































































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic

















































Ток коллектора (макс)















Ток отсечки коллетора (vfrc)







Модуляция частот




















Мощность макcимальная
















Тип транзистора





Корпус
























 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
PEMH2,315NXP SemiconductorsTRANS ARRAY NPN/NPN SOT-666
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini-6 (SOT-666)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PEMH24,115PEMH24,115NXP SemiconductorsTRANS NPN W/RES DUAL SOT666
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 100K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 100K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini-6 (SOT-666)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PEMH30,115PEMH30,115NXP SemiconductorsTRANS NPN/NPN W/RES 50V SS-MINI
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini-6 (SOT-666)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PEMH30,315NXP SemiconductorsTRANS ARRAY NPN/NPN SOT-666
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini-6 (SOT-666)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PEMH4,115PEMH4,115NXP SemiconductorsTRANS NPN/NPN 50V 100MA SOT666
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini-6 (SOT-666)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PEMH7,115PEMH7,115NXP SemiconductorsTRANS NPN/NPN 50V 100MA SOT666
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini-6 (SOT-666)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PEMH9,115PEMH9,115NXP SemiconductorsTRANS NPN/NPN 50V 100MA SOT666
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini-6 (SOT-666)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PEMH9,315NXP SemiconductorsTRANS ARRAY NPN/NPN SOT-666
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini-6 (SOT-666)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PIMC31,115NXP SemiconductorsTRANS ARRAY NPN/PNP SC-74
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 1K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Мощность макcимальная: 290mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-74-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PIMD2,115PIMD2,115NXP SemiconductorsTRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT457
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-74-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PIMD2,125NXP SemiconductorsTRANS ARRAY NPN/PNP SC70-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PIMD3,115PIMD3,115NXP SemiconductorsTRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT457
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 1K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-74-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PIMH9,115PIMH9,115NXP SemiconductorsTRANS NPN/NPN 50V 100MA SOT457
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-74-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PIMN31,115NXP SemiconductorsTRANS NPN/NPN W/RES 50V 6-TSOP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 1K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA, 100mA  ·  Мощность макcимальная: 420mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-74-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PUMB10,115PUMB10,115NXP SemiconductorsTRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PUMB11,115PUMB11,115NXP SemiconductorsTRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PUMB11,135NXP SemiconductorsTRANS ARRAY PNP/PNP SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PUMB1,115PUMB1,115NXP SemiconductorsTRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PUMB1,135NXP SemiconductorsTRANS ARRAY PNP/PNP SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PUMB13,115PUMB13,115NXP SemiconductorsTRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PUMB15,115PUMB15,115NXP SemiconductorsTRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PUMB16,115PUMB16,115NXP SemiconductorsTRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PUMB17,115PUMB17,115NXP SemiconductorsTRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PUMB18,115PUMB18,115NXP SemiconductorsTRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PUMB20,115PUMB20,115NXP SemiconductorsTRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 20212223242526 ... 35  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте