Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
PEMH2,315 | NXP Semiconductors | TRANS ARRAY NPN/NPN SOT-666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini-6 (SOT-666) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PEMH24,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN W/RES DUAL SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 100K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 100K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini-6 (SOT-666) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PEMH30,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN/NPN W/RES 50V SS-MINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini-6 (SOT-666) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PEMH30,315 | NXP Semiconductors | TRANS ARRAY NPN/NPN SOT-666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini-6 (SOT-666) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PEMH4,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN/NPN 50V 100MA SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini-6 (SOT-666) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PEMH7,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN/NPN 50V 100MA SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini-6 (SOT-666) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PEMH9,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN/NPN 50V 100MA SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini-6 (SOT-666) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PEMH9,315 | NXP Semiconductors | TRANS ARRAY NPN/NPN SOT-666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini-6 (SOT-666) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PIMC31,115 | NXP Semiconductors | TRANS ARRAY NPN/PNP SC-74 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 1K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 290mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-74-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PIMD2,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-74-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PIMD2,125 | NXP Semiconductors | TRANS ARRAY NPN/PNP SC70-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PIMD3,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 1K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-74-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PIMH9,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN/NPN 50V 100MA SOT457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-74-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PIMN31,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN/NPN W/RES 50V 6-TSOP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 1K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 500mA, 100mA · Мощность макcимальная: 420mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-74-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PUMB10,115 | NXP Semiconductors | TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PUMB11,115 | NXP Semiconductors | TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PUMB11,135 | NXP Semiconductors | TRANS ARRAY PNP/PNP SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PUMB1,115 | NXP Semiconductors | TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PUMB1,135 | NXP Semiconductors | TRANS ARRAY PNP/PNP SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PUMB13,115 | NXP Semiconductors | TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PUMB15,115 | NXP Semiconductors | TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PUMB16,115 | NXP Semiconductors | TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PUMB17,115 | NXP Semiconductors | TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PUMB18,115 | NXP Semiconductors | TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PUMB20,115 | NXP Semiconductors | TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |