XP0160100L | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (сборки) (Transistors (BJT) - Arrays) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV, 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 80MHz, 150MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: S-Mini 5P

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV, 500mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 80MHz, 150MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: S-Mini 5P

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	XP0B30100L	Panasonic - SSG	TRANS ARRAY PNP/NPN SMINI-5P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV, 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 80MHz, 150MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: S-Mini 5P	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	XP0C30100L	Panasonic - SSG	TRANS ARRAY PNP/NPN SMINI-5P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV, 500mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 80MHz, 150MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: S-Mini 5P	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	XP0560100L	Panasonic - SSG	TRANS ARRAY PNP/NPN SMINI-6P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV, 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 80MHz, 150MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: S-Mini 6P	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (сборки)

XP0160100L — TRANS ARRAY NPN/PNP SMINI-5

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам