Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (сборки)
 

UMZ1NT1G — TRANS AMP COMP DUAL GP SC88

ПроизводительON Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)50V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic250mV @ 10mA, 100mA
Ток коллектора (макс)200mA
Ток отсечки коллетора (vfrc)1mA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 6V
Мощность макcимальная385mW
Модуляция частот114MHz
Тип транзистораNPN, PNP
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусSC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Встречается под наим.UMZ1NT1GOSCT
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
UMZ1NT1UMZ1NT1ON SemiconductorTRANS AMP COMP DUAL GP SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V  ·  Мощность макcимальная: 385mW  ·  Модуляция частот: 114MHz  ·  Тип транзистора: NPN, PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «UMZ1NT1G» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте