SMBT 3904PN E6327 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (сборки) (Transistors (BJT) - Arrays) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 330mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	SMBT 3904S E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR ARRAY NPN SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 330mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	SMBT 3904UPN E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR ARRAY NPN/PNP SC-74 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 330mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (сборки)

SMBT 3904PN E6327 — TRANSISTOR ARRAY NPN/PNP SOT-363

Схожие по характеристикам