Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (сборки)
 
MMDT4126-7-F

- Дополнительное фото
- Габаритный чертеж
- Габаритный чертеж
- Габаритный чертеж

MMDT4126-7-F — TRANSISTOR DUAL PNP 25V SOT363

ПроизводительDiodes Inc
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Обратите вниманиеWire Change 16 сенt 2008
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)25V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 50mA
Ток коллектора (макс)200mA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 2mA, 1V
Мощность макcимальная200mW
Модуляция частот250MHz
Тип транзистора2 PNP (Dual)
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусSC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Встречается под наим.MMDT4126-FDIDKR
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MMDT4126-7MMDT4126-7Diodes IncTRANSISTOR DUAL PNP -25V SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: 2 PNP (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
от 0,00		Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «MMDT4126-7-F» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте