Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (сборки)

Производитель	Analog Devices
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	36V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic	100mV @ 100µA, 1mA
Ток коллектора (макс)	20mA
Мощность макcимальная	500мВт
Модуляция частот	190MHz
Тип транзистора	2 PNP (Dual)
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	TO-78-6 Metal Can

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	MAT03EHZ	Analog Devices	IC TRANS DUAL MATCHED PNP TO78-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 36V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 190MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	MAT03EH	Analog Devices	IC TRANS DUAL MATCHED PNP TO78-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 36V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 190MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов