Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (сборки)

 
FFB5551

FFB5551 — TRANSISTOR NPN DUAL 160V SC70-6

ПроизводительFairchild Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Обратите вниманиеMold Compound Change 12 дек 2007
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)160V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic200mV @ 5mA, 50mA
Ток коллектора (макс)200mA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Мощность макcимальная200mW
Модуляция частот300MHz
Тип транзистора2 NPN (Dual)
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусSC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MMDT5551-7-FMMDT5551-7-FDiodes IncTRANS NPN BIPOL DUAL 160V SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
MMDT5551-7MMDT5551-7Diodes IncTRANSISTOR DUAL NPN 160V SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «FFB5551» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте