Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (сборки)
 
EMZ7T2R

- Габаритный чертеж

EMZ7T2R — TRANS COMPLEX BIPO NPN/PNP EMT6

ПроизводительRohm Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)12В
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic250mV @ 10mA, 200mA
Ток коллектора (макс)500mA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce270 @ 10mA, 2V
Мощность макcимальная150mW
Модуляция частот320MHz, 260MHz
Тип транзистораNPN, PNP
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусEMT6
Встречается под наим.EMZ7T2RDKR
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
UMZ7NTRUMZ7NTRRohm SemiconductorTRANS NPN/PNP 12V 500MA SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Модуляция частот: 320MHz, 260MHz  ·  Тип транзистора: NPN, PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «EMZ7T2R» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте