Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (сборки)
 
EMZ1T2R

- Дополнительное фото
- Габаритный чертеж

EMZ1T2R — TRANS NPN/PNP 50V 150MA EMT6

ПроизводительRohm Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)50V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic400mV, 500mV @ 5mA, 50mA
Ток коллектора (макс)150mA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 6V
Мощность макcимальная150mW
Модуляция частот180MHz, 140MHz
Тип транзистораNPN, PNP
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусEMT6
Встречается под наим.EMZ1T2RDKR
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
UMZ1NTRUMZ1NTRRohm SemiconductorTRANS NPN/PNP 50V 150MA SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV, 500mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 150mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Модуляция частот: 180MHz, 140MHz  ·  Тип транзистора: NPN, PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
от 0,00		Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «EMZ1T2R» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте