Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (сборки)

Производитель	ON Semiconductor

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	60V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic	400mV, 500mV @ 5mA, 50mA
Ток коллектора (макс)	100mA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 6V
Мощность макcимальная	500мВт
Модуляция частот	140MHz, 180MHz
Тип транзистора	NPN, PNP
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	SOT-563

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	EMZ1DXV6T5G	ON Semiconductor	TRANS NPN GP/PNP DUAL SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV, 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 140MHz, 180MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	EMZ1DXV6T1	ON Semiconductor	TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV, 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 140MHz, 120MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563		Доп. информация Искать в поставщиках
	EMZ1DXV6T1G	ON Semiconductor	TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV, 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 140MHz, 120MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563		Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов