Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (сборки)
 
EMX4T2R

- Габаритный чертеж

EMX4T2R — TRANS DUAL NPN 30V 50MA EMT6

ПроизводительRohm Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)20В
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic500mV @ 4mA, 20mA
Ток коллектора (макс)50mA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce27 @ 10mA, 10V
Мощность макcимальная150mW
Модуляция частот1.5GHz
Тип транзистора2 NPN (Dual)
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусEMT6
Встречается под наим.EMX4T2R-ND, EMX4T2RTR
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
UMX4NTRUMX4NTRRohm SemiconductorTRANS DUAL NPN 20V 50MA SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 27 @ 10mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Модуляция частот: 1.5GHz  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
от 0,00		Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «EMX4T2R» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте