Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (сборки)

 
BC857BS,135

BC857BS,135 — TRANSISTOR PNP 45V 100MA SC-88

ПроизводительNXP Semiconductors
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)45V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 100mA
Ток коллектора (макс)100mA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 5V
Мощность макcимальная200mW
Модуляция частот100MHz
Тип транзистора2 PNP (Dual)
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусSC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Встречается под наим.BC857BS /T3, BC857BS /T3-ND
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BC857BS,115BC857BS,115NXP SemiconductorsTRANSISTOR PNP 45V 100MA SC-88
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: 2 PNP (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
PMP5501Y,135PMP5501Y,135NXP SemiconductorsTRANS MATCHED PNP SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 175MHz  ·  Тип транзистора: 2 PNP (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
PMP5201Y,115PMP5201Y,115NXP SemiconductorsTRANS PNP/PNP 45V 100MA SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 175MHz  ·  Тип транзистора: 2 PNP (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
BC857BV,115BC857BV,115NXP SemiconductorsTRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT666
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: 2 PNP (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SS Mini-6 (SOT-666)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
BCM857BS,115BCM857BS,115NXP SemiconductorsTRANS PNP/PNP 45V 100MA SC88
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 175MHz  ·  Тип транзистора: 2 PNP (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
PMP5501Y,115PMP5501Y,115NXP SemiconductorsTRANS PNP/PNP 45V 100MA SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 175MHz  ·  Тип транзистора: 2 PNP (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
PMP5201Y,135PMP5201Y,135NXP SemiconductorsTRANS MATCHED PNP SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 175MHz  ·  Тип транзистора: 2 PNP (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
BCM857BS,135BCM857BS,135NXP SemiconductorsTRANS PNP/PNP 45V 100MA SC88
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 175MHz  ·  Тип транзистора: 2 PNP (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «BC857BS,135» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте