Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
2N6987U | TT Electronics/Optek Technolog | TRANSISTR PNP QUAD HERMETIC SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: 4 PNP (Quad) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Non-Standard Surface Mount | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2N6989U | TT Electronics/Optek Technolog | TRANSISTR NPN QUAD HERMETIC SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: 4 NPN (Quad) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Non-Standard Surface Mount | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2N4854UTX | TT Electronics/Optek Technolog | TRANSISTR NPN/PNP 40V 600MA SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-LCC | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MAT03EH | Analog Devices | IC TRANS DUAL MATCHED PNP TO78-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 36V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 190MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MAT03EHZ | Analog Devices | IC TRANS DUAL MATCHED PNP TO78-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 36V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 190MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2N5796U | TT Electronics/Optek Technolog | TRANSISTR PNP DUAL HERMETIC SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Non-Standard Surface Mount | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MAT01AH | Analog Devices | IC TRANS DUAL MATCHED NPN TO78-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Ток коллектора (макс): 20mA · Модуляция частот: 450MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2N5794U | TT Electronics/Optek Technolog | TRANSISTR NPN DUAL HERMETIC SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 75V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Non-Standard Surface Mount | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MAT01AHZ | Analog Devices | IC TRANS DUAL MATCHED NPN TO-78 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 25mA · Мощность макcимальная: 1.8W · Модуляция частот: 450MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MAT03FH | Analog Devices | IC TRANS DUAL MATCHED PNP TO78-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 36V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Модуляция частот: 190MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2N4854U | TT Electronics/Optek Technolog | TRANSISTR NPN/PNP 40V 600MA SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-LCC | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MAT03FHZ | Analog Devices | IC TRANS DUAL MATCHED PNP TO78-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 36V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 190MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MAT01GH | Analog Devices | IC TX MATCHED MONO DUAL TO-78-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Ток коллектора (макс): 30mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 400pA · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 450MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MAT01GHZ | Analog Devices | TRANS MATCHED MONO DUAL TO-78-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 0.1mA, 1mA · Ток коллектора (макс): 25mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 400pA · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 450MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SSM2220S | Analog Devices | IC TRANS AUDIO DUAL PNP 8SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 36V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Модуляция частот: 190MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SSM2220PZ | Analog Devices | IC TRANS PNP AUDIO DUAL 8DIP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 36V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Модуляция частот: 190MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: 8-DIP (300 mil) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SSM2220SZ | Analog Devices | IC TRANS AUDIO DUAL PNP 8-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 36V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Модуляция частот: 190MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
CA3127M | Intersil | TRANSISTOR ARRAY NPN 16-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 85mW · Модуляция частот: 1.15GHz · Тип транзистора: 5 NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 16-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MP4301(Q) | Toshiba | TRANS MOD NPN QUAD 100V 3A 12SIP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 2V · Мощность макcимальная: 4.4W · Модуляция частот: 60MHz · Тип транзистора: 4 NPN Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: 12 Pin SIP Horz | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MP4015(Q) | Toshiba | TRANS MOD NPN QUAD 60V 5A 10-SIP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 4mA, 1A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V · Мощность макcимальная: 4Вт · Модуляция частот: 7MHz · Тип транзистора: 4 NPN Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: 10-SIP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MP4104(Q) | Toshiba | TRANS MOD NPN QUAD 100V 4A 10-SI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1500mA, 2V · Мощность макcимальная: 4Вт · Модуляция частот: 60MHz · Тип транзистора: 4 NPN Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: 10-SIP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXT12P40DXTA | Diodes/Zetex | TRANS PNP DL LS -40V -2A 8-MSOP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 100mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная: 1.04W · Модуляция частот: 130MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP, | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZDT1147TA | Diodes/Zetex | TRANS PNP DUAL 12V 5A DOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 20mA, 2A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 2.75W · Модуляция частот: 115MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZDT1048TA | Diodes/Zetex | TRANS NPN DUAL 17.5V 5A MED SM8 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 17.5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 5A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 2.75W · Модуляция частот: 150MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MP4020(F) | Toshiba | TRANS MOD NPN QUAD 60V 2A 10-SIP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная: 4Вт · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: 4 NPN Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: 10-SIP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |