Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
IMZ2AT108 | Rohm Semiconductor | TRANS NPN/PNP 50V 150MA SOT-457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV, 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 140MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IMZ4T108 | Rohm Semiconductor | TRANS NPN/PNP 32V 500MA SOT-457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
LBN150B01-7 | Diodes Inc | TRANS COMPL PAIR 150MA SOT-26 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V, 40V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 200mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-26 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
LM394BH/NOPB | National Semiconductor | IC SUPERMATCH PAIR TO-5 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 35V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-5 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
LM394CH/NOPB | National Semiconductor | IC SUPER MATCHED NPN PAIR TO99-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Ток коллектора (макс): 20mA · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-99-6 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
LM394H/NOPB | National Semiconductor | IC SUPER MATCHED NPN PAIR TO99-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Ток коллектора (макс): 20mA · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-99-6 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MAT01AH | Analog Devices | IC TRANS DUAL MATCHED NPN TO78-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Ток коллектора (макс): 20mA · Модуляция частот: 450MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MAT01AHZ | Analog Devices | IC TRANS DUAL MATCHED NPN TO-78 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 25mA · Мощность макcимальная: 1.8W · Модуляция частот: 450MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MAT01GH | Analog Devices | IC TX MATCHED MONO DUAL TO-78-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Ток коллектора (макс): 30mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 400pA · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 450MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MAT01GHZ | Analog Devices | TRANS MATCHED MONO DUAL TO-78-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 0.1mA, 1mA · Ток коллектора (макс): 25mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 400pA · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 450MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MAT02EH | Analog Devices | IC TX MATCHED MONO DUAL LN TO-78 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MAT02EHZ | Analog Devices | IC TRANS DUAL MATCHED NPN TO-78 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Мощность макcимальная: 1.8W · Модуляция частот: 450MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MAT02FH | Analog Devices | IC TRANS DUAL MATCHED NPN TO78-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MAT02FHZ | Analog Devices | IC TRANS DUAL MATCHED NPN TO-78 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 400pA · Мощность макcимальная: 1.8W · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MAT03EH | Analog Devices | IC TRANS DUAL MATCHED PNP TO78-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 36V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 190MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MAT03EHZ | Analog Devices | IC TRANS DUAL MATCHED PNP TO78-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 36V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 190MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MAT03FH | Analog Devices | IC TRANS DUAL MATCHED PNP TO78-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 36V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Модуляция частот: 190MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MAT03FHZ | Analog Devices | IC TRANS DUAL MATCHED PNP TO78-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 36V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 190MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MAT04FP | Analog Devices | IC TX MATCHED MONO QUAD 14-DIP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 60mV @ 1mA, 100µA · Ток коллектора (макс): 30mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 5nA · Мощность макcимальная: 350mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: 4 NPN (Quad) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: 14-DIP (300 mil) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MAT04FPZ | Analog Devices | IC TX MATCHED MONO QUAD 14-DIP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 60mV @ 1mA, 100µA · Ток коллектора (макс): 30mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 5nA · Мощность макcимальная: 350mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: 4 NPN (Quad) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: 14-DIP (300 mil) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MAT04FS | Analog Devices | IC TX MATCHED MONO QUAD 14-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 60mV @ 1mA, 100µA · Ток коллектора (макс): 30mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 5nA · Мощность макcимальная: 350mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 14-SOIC (3.9мм ширина), 14-SOL | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MAT04FS-REEL | Analog Devices | IC TRANS QUAD MATCHED NPN 14SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 60mV @ 1mA, 100µA · Ток коллектора (макс): 30mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 5nA · Мощность макcимальная: 350mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 14-SOIC (3.9мм ширина), 14-SOL | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MAT04FSZ | Analog Devices | IC TX MATCHED MONO QUAD 14-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 60mV @ 1mA, 100µA · Ток коллектора (макс): 30mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 5nA · Мощность макcимальная: 350mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 14-SOIC (3.9мм ширина), 14-SOL | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MAT04FSZ-REEL | Analog Devices | TRANSISTOR NPN QUAD MONO 14SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 60mV @ 1mA, 100µA · Ток коллектора (макс): 30mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 5nA · Мощность макcимальная: 350mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 14-SOIC (3.9мм ширина), 14-SOL | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MBT2222ADW1T1G | ON Semiconductor | TRANS NPN GP 600MA 40V SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |