Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
MMDT2227-7-F | Diodes Inc | TRANS COMP PAIR 40/60V SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MMDT2227-7 | Diodes Inc | TRANS COMP PAIR 40/60V SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MMDT4413-7-F | Diodes Inc | TRANS COMP PAIR 40V SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 250MHz, 200MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MMDT3946-7-F | Diodes Inc | TRANS COMP PAIR 40V SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV, 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MMDT3946-7 | Diodes Inc | TRANS COMP PAIR 40V SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV, 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 250MHz, 300MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MMDT4413-7 | Diodes Inc | TRANS COMP PAIR 40V SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 250MHz, 200MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
LBN150B01-7 | Diodes Inc | TRANS COMPL PAIR 150MA SOT-26 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V, 40V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 200mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-26 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
EMZ7T2R | Rohm Semiconductor | TRANS COMPLEX BIPO NPN/PNP EMT6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 320MHz, 260MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: EMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
EMX18T2R | Rohm Semiconductor | TRANS COMPLEX DUAL NPN 12V EMT6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 320MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: EMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UMX18NTN | Rohm Semiconductor | TRANS COMPLEX DUAL NPN SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 320MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZDT705TC | Diodes/Zetex | TRANS DARL DUAL PNP SOT223-8 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2mA, 2A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3000 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 2.75W · Модуляция частот: 160MHz · Тип транзистора: 2 PNP Darlington (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZDT605TA | Diodes/Zetex | TRANS DARL NPN DUAL 120V 1A SM8 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 2.75W · Модуляция частот: 150MHz · Тип транзистора: 2 NPN Darlington (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
ZDT6705TA | Diodes/Zetex | TRANS DARL NPN/PNP 120V 1A SM8 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 2.75W · Модуляция частот: 150MHz · Тип транзистора: NPN, PNP Darlington (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
ZDT6702TA | Diodes/Zetex | TRANS DARL NPN/PNP 60V 1.75A SM8 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.28V @ 2mA, 1.75A · Ток коллектора (макс): 1.75A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 500mA, 5V · Мощность макcимальная: 2.75W · Модуляция частот: 140MHz · Тип транзистора: NPN, PNP Darlington (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
ZDT705TA | Diodes/Zetex | TRANS DARL PNP DUAL 120V 1A SM8 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2mA, 2A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3000 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 2.75W · Модуляция частот: 160MHz · Тип транзистора: 2 PNP Darlington (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
ZDT717TA | Diodes/Zetex | TRANS DARL PNP DUAL 12V 2.5A SM8 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 2.5A, 50mA · Ток коллектора (макс): 2.5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Модуляция частот: 110MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BC847BPDW1T2G | ON Semiconductor | TRANS DUAL 45V 100MA SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 380mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MBT3904DW2T1G | ON Semiconductor | TRANS DUAL GP 200MA 40V SC88 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MBT3904DW1T1G | ON Semiconductor | TRANS DUAL GP 200MA 40V SC88 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MBT3946DW1T1G | ON Semiconductor | TRANS DUAL GP 200MA 40V SC88 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV, 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 300MHz, 250MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MBT3906DW1T1G | ON Semiconductor | TRANS DUAL GP 200MA 40V SC88 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MBT3906DW1T1 | ON Semiconductor | TRANS DUAL GP 200MA 40V SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MBT3904DW1T1 | ON Semiconductor | TRANS DUAL GP 200MA 40V SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MBT3946DW1T1 | ON Semiconductor | TRANS DUAL GP 200MA 40V SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV, 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 300MHz, 250MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MBT3904DW2T1 | ON Semiconductor | TRANS DUAL GP 200MA 40V SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |