Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (сборки)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 30mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.04W  ·  Модуляция частот: 85MHz  ·  Тип транзистора: 2 PNP (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP,

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.04W  ·  Модуляция частот: 132MHz  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP,

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 160mV @ 150mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 3.5A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.04W  ·  Модуляция частот: 112MHz  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP,

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 140V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 2.75W  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: 2 PNP (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 2.75W  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: 2 PNP (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 2.75W  ·  Модуляция частот: 140MHz  ·  Тип транзистора: 2 PNP (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 2.75W  ·  Модуляция частот: 160MHz  ·  Тип транзистора: 2 PNP (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 2.5A, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 2.5A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 2.5Вт  ·  Модуляция частот: 110MHz  ·  Тип транзистора: 2 PNP (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3000 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 2.75W  ·  Модуляция частот: 160MHz  ·  Тип транзистора: 2 PNP Darlington (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 400mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 200mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 2.75W  ·  Модуляция частот: 130MHz  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 2.75W  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V, 40V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 2.75W  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: NPN, PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Тип транзистора: NPN, PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8