VVZ175-14IO7 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Тиристоры (сборки) (SCRs, SCR/Diode - Arrays, Modules) | Каталог компонентов

Напряжение - закрытого состояния: 1200V · Ток открытого состояния (It (AV)) (Max): 167A · Ток открытого состояния (It (RMS) (Max): 89A · Ток отпирания: 100mA · Ток - удержания (макс.): 200mA · Ток - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1500A, 1600A · Количество SCR диодов: 3 SCRs, 3 Diodes · Структура: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: PWS-E2

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	VVZ175-12IO7	IXYS	RECT BRIDGE 3PH 167A 1200V PWSE2 Напряжение - закрытого состояния: 1200V · Ток открытого состояния (It (AV)) (Max): 167A · Ток открытого состояния (It (RMS) (Max): 89A · Ток отпирания: 100mA · Ток - удержания (макс.): 200mA · Ток - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1500A, 1600A · Количество SCR диодов: 3 SCRs, 3 Diodes · Структура: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: PWS-E2	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	VVZ175-16IO7	IXYS	RECT BRIDGE 3PH 167A 1600V PWSE2 Напряжение - закрытого состояния: 1600V · Ток открытого состояния (It (AV)) (Max): 167A · Ток открытого состояния (It (RMS) (Max): 89A · Ток отпирания: 100mA · Ток - удержания (макс.): 200mA · Ток - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1500A, 1600A · Количество SCR диодов: 3 SCRs, 3 Diodes · Структура: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: PWS-E2	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Тиристоры (сборки)

VVZ175-14IO7 — RECT BRIDGE 3PH 167A 1400V PWSE2

Схожие по характеристикам