CS19-12HO1S-TUBE | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Тиристоры (одиночные) (SCRs - Single) | Каталог компонентов

Напряжение - закрытого состояния: 800В · Напряжение отпирания(Vgt) (Max): 1.5V · Ток открытого состояния (It (AV)) (Max): 19A · Ток открытого состояния (It (RMS) (Max): 29A · Ток отпирания: 28mA · Ток - удержания (макс.): 50mA · Ток - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 160A, 180A · Тип SCR: Standard Recovery · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	CS19-08HO1S-TUBE	IXYS	THYRISTOR PHASE 19A 800V TO-263 Напряжение - закрытого состояния: 800В · Напряжение отпирания(Vgt) (Max): 1.5V · Ток открытого состояния (It (AV)) (Max): 19A · Ток открытого состояния (It (RMS) (Max): 29A · Ток отпирания: 28mA · Ток - удержания (макс.): 50mA · Ток - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 160A, 180A · Тип SCR: Standard Recovery · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	CS19-12HO1S	IXYS	THYRISTOR PHASE 1200V TO-263AB Напряжение - закрытого состояния: 1200V · Напряжение отпирания(Vgt) (Max): 1.5V · Ток открытого состояния (It (AV)) (Max): 19A · Ток открытого состояния (It (RMS) (Max): 29A · Ток отпирания: 28mA · Ток - удержания (макс.): 50mA · Ток - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 160A, 180A · Тип SCR: Standard Recovery · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D²Pak, TO-263 (3 leads + tab)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Тиристоры (одиночные)

CS19-12HO1S-TUBE — THYRISTOR PHASE 19A 1200V TO-263

Схожие по характеристикам