UPA814T-T1-A | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Высокочастотные транзисторы (BJT) (RF Transistors (BJT)) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz · Усиление: 6.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 1V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	UPA814T-T1	NEC	TRANS NPN HF FT=9GHZ SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz · Усиление: 6.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 1V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363		Доп. информация Искать в поставщиках
	UPA814T-A	NEC	TRANSISTOR NPN 9GHZ SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz · Усиление: 6.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 1V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363		Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Высокочастотные транзисторы (BJT)

UPA814T-T1-A — TRANSISTOR NPN FT=9GHZ SOT-36

Аналогичные по характеристикам