UPA800T-T1 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Высокочастотные транзисторы (BJT) (RF Transistors (BJT)) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz · Усиление: 5.5dB ~ 7.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	UPA800T-A	NEC	TRANSISTOR NPN HF 8GHZ SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz · Усиление: 5.5dB ~ 7.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	UPA811T-T1-A	NEC	TRANSISTOR NPN 8GHZ SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz · Усиление: 5.5dB ~ 7.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	UPA811T-A	NEC	TRANSISTOR NPN 8GHZ SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz · Усиление: 5.5dB ~ 7.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	UPA800T-T1-A	NEC	TRANSISTOR NPN HF FT=8GHZ SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz · Усиление: 5.5dB ~ 7.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Высокочастотные транзисторы (BJT)

UPA800T-T1 — TRANS NPN HF FT=8GHZ SOT-363

Аналогичные по характеристикам