Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)

 
PN5179

PN5179 — TRANSISTOR RF NPN 12V TO-92

ПроизводительFairchild Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)12В
Модуляция частот2GHz
Коэфицент шума (dB Typ @ f)5dB @ 200MHz
Усиление15dB
Мощность макcимальная350mW
Тип транзистораNPN
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce25 @ 3mA, 1V
Ток коллектора (макс)50mA
Тип монтажаThrough Hole
КорпусTO-92-3 (Standard Body), TO-226
Встречается под наим.PN5179FS
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
PN5179_D26ZPN5179_D26ZFairchild SemiconductorTRANS RF NPN 12V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 2GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
PN5179_D75ZPN5179_D75ZFairchild SemiconductorTRANS RF NPN 12V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 2GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MPS5179_D75ZMPS5179_D75ZFairchild SemiconductorTRANS RF NPN 12V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 2GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
PN5179_D27ZPN5179_D27ZFairchild SemiconductorTRANS RF NPN 12V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 2GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MPS5179_D27ZMPS5179_D27ZFairchild SemiconductorTRANS RF NPN 12V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 2GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MPS5179_D26ZMPS5179_D26ZFairchild SemiconductorTRANS RF NPN 12V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 2GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «PN5179» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте