Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)

NE894M13-T3-A — TRANS NPN 3GHZ M13

Производитель	NEC
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	3V
Коэфицент шума (dB Typ @ f)	1.4dB ~ 2.5dB @ 2GHz
Мощность макcимальная	105mW
Тип транзистора	NPN
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 5mA, 1V
Ток коллектора (макс)	35mA
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	Поверхностный монтаж