NE85634-T1-A | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Высокочастотные транзисторы (BJT) (RF Transistors (BJT)) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-89

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	NE85634-A	NEC	TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-89	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	NE85634-T1	NEC	TRANS NPN 1GHZ SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-89		Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Высокочастотные транзисторы (BJT)

NE85634-T1-A — TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-89

Аналогичные по характеристикам