NE68819-A | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Высокочастотные транзисторы (BJT) (RF Transistors (BJT)) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 9.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Усиление: 3dB ~ 4dB · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 1V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	NE68819-T1	NEC	TRANS NPN 2GHZ SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 9.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Усиление: 3dB ~ 4dB · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 1V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж		Доп. информация Искать в поставщиках
	NE68819-T1-A	NEC	TRANSISTOR NPN 2GHZ SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 9.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Усиление: 3dB ~ 4dB · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 1V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Mini 3P	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Высокочастотные транзисторы (BJT)

NE68819-A — TRANSISTOR NPN 2GHZ SC-90

Схожие по характеристикам