NE68719-T1-A | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Высокочастотные транзисторы (BJT) (RF Transistors (BJT)) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3V · Модуляция частот: 11GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 2GHz · Усиление: 8.5dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 90mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	NE68719-A	NEC	TRANSISTOR NPN 2GHZ SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3V · Модуляция частот: 11GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 2GHz · Усиление: 8.5dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 90mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	NE68719-T1	NEC	TRANS NPN 2GHZ SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3V · Модуляция частот: 11GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 2GHz · Усиление: 8.5dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 90mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Высокочастотные транзисторы (BJT)

NE68719-T1-A — TRANSISTOR NPN 2GHZ SMD

Аналогичные по характеристикам