NE68139R-T1 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Высокочастотные транзисторы (BJT) (RF Transistors (BJT)) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz · Усиление: 13.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V · Ток коллектора (макс): 65mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143R

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	NE68139R-T1-A	NEC	TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-143R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz · Усиление: 13.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V · Ток коллектора (макс): 65mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143R		Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	NE68139-T1	NEC	TRANS NPN 1GHZ SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz · Усиление: 13.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V · Ток коллектора (макс): 65mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA		Доп. информация Искать в поставщиках
	NE68139-T1-A	NEC	TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz · Усиление: 13.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V · Ток коллектора (макс): 65mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	NE68139-A	NEC	TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz · Усиление: 13.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V · Ток коллектора (макс): 65mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Высокочастотные транзисторы (BJT)

NE68139R-T1 — TRANS NPN 1GHZ SOT-143R

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам