NE68119-T1-A | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Высокочастотные транзисторы (BJT) (RF Transistors (BJT)) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 7GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz · Усиление: 14dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 100mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 8V · Ток коллектора (макс): 65mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	NE68119-T1	NEC	TRANS NPN 1GHZ SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 7GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz · Усиление: 14dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 100mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 8V · Ток коллектора (макс): 65mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж		Доп. информация Искать в поставщиках
	NE68119-A	NEC	TRANSISTOR NPN 1GHZ SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 7GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz · Усиление: 14dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 100mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 8V · Ток коллектора (макс): 65mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Высокочастотные транзисторы (BJT)

NE68119-T1-A — TRANSISTOR NPN 1GHZ SMD

Аналогичные по характеристикам