NE68030-T1 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Высокочастотные транзисторы (BJT) (RF Transistors (BJT)) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 10GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.9dB @ 1GHz ~ 4GHz · Усиление: 12.5dB ~ 5.3dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 6V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-323

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	NE68030-A	NEC	TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 10GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.9dB @ 1GHz ~ 4GHz · Усиление: 12.5dB ~ 5.3dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 6V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-323	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	NE68030-T1-A	NEC	TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 10GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.9dB @ 1GHz ~ 4GHz · Усиление: 12.5dB ~ 5.3dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 6V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-323	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Высокочастотные транзисторы (BJT)

NE68030-T1 — TRANS NPN 2GHZ SOT-323

Аналогичные по характеристикам